图片来源：中国光谷

官方资料显示，长飞先进武汉基地项目总投资超过200亿元，占地面积498亩，其中一期占地344亩。项目一期规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆，达产后每年可为144万辆新能源汽车提供核心芯片。这将使长飞先进武汉基地成为全国最大的碳化硅晶圆厂，有望打破国际垄断，填补湖北在高端碳化硅器件制造领域的空白。


据悉，目前该基地首款芯片的良率已达97%，处于国际先进水平。此外，长飞先进已与全球头部车企广泛合作，部分产品即将进入量产交付阶段。这得益于基地在全球率先部署了A3级别天车系统，实现了自动生产、搬运和派工，大大降低了人工干扰。该基地还建立了覆盖材料、化学分析、可靠性测试、失效分析、产品特性和产品应用的全产业链实验室，致力于打造集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。


此外，长飞先进已与全球头部车企广泛合作，部分产品即将进入量产交付阶段。其碳化硅器件将广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及电力电网等领域。例如，在新能源汽车领域，碳化硅器件可使主驱逆变器重量减轻40%、体积缩小30%、功率密度提升25%，并显著提高能量转换效率。