source：杭州士兰微电子股份有限公司

士兰微电子还集中展示四大核心领域解决方案：白电领域突出直流变频技术应用；汽车领域展示B3G SiC模块等车规级芯片；工业新能源主推微型逆变器与储能变流器方案；AI算力方向提供六轴IMU传感器及服务器电源方案。

资料显示，长期以来士兰微电子坚持走IDM（设计制造一体化）发展道路，不断积累技术和工艺经验，推动和引领着国内功率半导体芯片行业的发展。今年2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。一期项目投资70亿元，力争在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。项目的建成，将能较好的满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、AI服务器电源、大型白电等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

士兰微在厦门制造基地建设的车规级6英寸SiC MOSFET产线，从2022年起至今已经量产三年，目前基于士兰自主研发和生产的二代SiC主驱芯片开发的高性能SiC功率模块已大批量上车，得到了TOP客户认可，并且士兰微已完成了四代SiC芯片的研发，新一代SiC功率模块也将于今年上量。