YR S900在性能指标上，对标三星、海力士、铠侠等国际头部厂商产品，达到国际领先水准，具备更高的传输速率和性能，能进一步满足数据中心日益增长的数据存储需求！

YR S900采用PCIe 5.0接口，大幅提升SSD整体性能，广泛支持市场主流NAND，可配置16或者18通道，高度适配长江存储颗粒。此外，这颗SSD控制器是国内首颗采用开源RISC-V架构的存储控制芯片，不受出口管制的限制，保证了芯片从设计、生产、制造全过程的安全和可持续，实现真正IP安全、自主可控。

官方测试数据如下：

顺序读取速度达 14GB/s，顺序写入速度达 12GB/s，4K 随机读速度达 3.5M IOPs，4K 随机写速度达 2.5M IOPs

YR S900采用英韧自研的第三代ECC纠错引擎，协同优化4K LDPC编解码及数字信号处理技术，并结合一种新型的混合自适应纠错方案，为最新的TLC和QLC NAND提供更强的纠错能力和更短的数据处理延迟。配合铠侠 XL-FLASH，实测4K随机读延时可低至10us。

S900还支持FDP (Flexible Data Placement)、SR-IOV硬件虚拟化技术、CMB等全新特性；FDP功能的引入，有助于更灵活地写入数据、提升稳态随机写性能，并有效降低了写放大，在特定应用中WAF甚至可接近1，与典型服务器SSD的3~4 WAF相比带来了重大改进。此外，S900支持还多种数据加密、用户认证等算法，以及先进的密钥管理设计，完全适配由分布式管理任务组（DMTF）发布的安全协议和数据模块(SPDM)中要求的认证和密钥管理标准。

英韧科技董事长吴子宁表示，未来将以“创新、坚韧”为核心驱动力，持续深耕高端存储主控芯片，积极布局PCIe 5.0 企业级SSD市场，以多种灵活的合作模式，为数据中心和企业级用户提供高效、安全、低耗的存储解决方案，共同打造PCIe 5.0生态。