基本半导体建6汲倒SiC线，年产7.2万片-信息-中自网-中自网

10月14日，深圳市生态环境局公示了一项关于“新能源汽车用SiC MOSFET芯片”项目的环境影响报告表，该项目建设单位为基本半导体，建设地点位于光明区欧菲光科技园。

据悉，该项目厂房建筑面积为11827m²，建设周期为7个月。主要建设新能源汽车用SiC MOSFET芯片，项目建成后月产6SiC MOSFET和JBS 器件6000片，合计年产7.2万片。

基本半导体是国内碳化硅功率器件和模块领导企业，他们的无锡新吴车规级碳化硅功率模块制造基地于2021年底实现通线，今年年中进入量产，2022年产能为25万只模块，2025年之前将提升至150万只。